igbt是什么意思

今天，我想和大家分享一个关于igbt是什么的问题。以下是边肖对这个问题的总结。让我们来看看。

一、igbt是什么意思？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。

GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流高；MOSFET驱动功率低，开关速度快，但开关压降大，载流密度低。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

扩展数据:

IGBT是垂直功率MOSFET的自然演变，适用于大电流和高电压应用以及快速终端设备。为了实现高击穿电压BVDSS，需要源极-漏极沟道，但是该沟道具有高电阻率，这导致功率MOSFET的高RDS(on)值。IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代的功率MOSFET器件已经大大改善了RDS(on)特性，但是在高电平下的功率传导损耗仍然远远高于IGBT技术。与标准双极性器件相比，更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力和IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

二。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是什么意思

IGBT(insulated gate bipolar transistor)是一种由双极晶体管和绝缘栅场效应晶体管组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前，这些模块化产品大多在市场上销售。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越常见。是IGBT能源转换和传输的核心p >您的浏览器不支持HTML5视频zymedia(“视频”)

三。igbt是什么意思？igbt的含义介绍

四。什么是IGBT？它的功能是什么？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。

IGBT的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道，为PNP(原NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

相反，施加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。IGBT的驱动方式与MOSFET基本相同，只需要控制输入N沟道MOSFET，因此具有高输入阻抗特性。

MOSFET的沟道形成后，P+基极注入到N层的空空穴(少数载流子)中，调制N层的电导率，降低N层的电阻，使IGBT即使在高电压下也具有低的通态电压。

扩展数据:

IGBT模块介绍:

是IGBT绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。

它结合了这两种器件的优点，既有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点，又有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，并在高频和中功率应用中占据主导地位。

如果在IGBT的栅极和发射极之间加一个驱动正电压，MOSFET就会导通，使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态，晶体管就会导通。当IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V时，MOS管截止，切断PNP晶体管的基极电流的供给，晶体管截止。像IGBT MOSFET一样，它也是一个压控器件。在它的栅极和发射极之间加一个十V以上的DC电压，只有uA级的漏电流流过，基本不消耗功率。

参考资料:百度百科-IGBT

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