场效应晶体管（场效应晶体管工作原理）

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场效应晶体管的应用

2、场效应晶体管宽电压应用:

输入电压不是一个固定值，它会随着时间或其他因素而变化。这种变化导致PWM电路提供给场效应晶体管的驱动电压不稳定。

为了使场效应晶体管在高栅极电压下安全，许多场效应晶体管都内置了电压调节器来强制限制栅极电压的幅度。在这种情况下，当提供的驱动电压超过调节器的电压时，将导致大的静态功耗。

同时，如果简单地用电阻分压原理降低栅极电压，场效应晶体管在输入电压比较高的时候会工作得很好，但是当输入电压降低时，栅极电压不足，导致导通不完全，从而增加功耗。

3、场效应晶体管双电压应用:

在一些控制电路中，逻辑部分使用5V或3.3V的典型数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。这两个电压通过公共地连接。

这就提出了一个要求，要使用一个电路，使低压侧能有效控制高压侧的场效应晶体管，高压侧的场效应晶体管也会面临1、2中提到的问题。

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避免场效应晶体管的静电击穿。

* * *避免场效应晶体管的静电击穿；

虽然场效应晶体管的输入有防静电保护措施，但仍需小心对待。储存和运输最好使用金属容器或导电材料，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装和调试期间，工具、仪器、工作台等。应该有良好的基础。为了防止静电干扰对操作者造成伤害，如果不适合穿尼龙或化纤衣服，最好用手或工具接触地面或戴上防静电手环后再接触集成块。当拉直、弯曲或手工焊接设备引线时，所用设备必须良好接地。

晶体管和场效应晶体管哪个更快？

场效应晶体管和晶体管的比较。

(1)场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，当信号源的额定电流极小时，应选用FET。

(2) FET是多载流子导通，晶体管的两个载流子都参与导通。由于少数载流子浓度对温度、辐射等外界条件非常敏感，对于环境变化较大的场合，更适合使用场效应晶体管。

(3)fet可以像晶体管一样用作放大器和可控开关，也可以用作压控可变线性电阻。

(FET的源漏结构是对称的，可以互换使用。耗尽型MOS晶体管的栅极-源极电压可以是正的或负的。因此，FET的使用比晶体管更灵活。

(5) FET可以在小电流、低电压的条件下工作，其制造工艺可以很容易地在一个硅片上集成多个FET，因此FET在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

场效应晶体管的应用领域

场效应晶体管(fet)是一种单极半导体器件，其电流由电场效应控制。其输入需要很少或不需要电流，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，适用于大规模和超大规模集成电路。

场效应器件因其功耗低、性能稳定、抗辐射能力强等优点，已逐渐取代集成电路中的三极管。但是，还是很贵。虽然大部分都内置了保护二极管，但是一不小心就会损坏。所以还是谨慎使用为好。

场效应晶体管的优点

场效应晶体管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。当信号源只允许小电流时，应选择场效应晶体管；当信号电压较低且允许从信号源汲取更多电流时，应选择晶体管。FET被称为单极器件是因为它使用多数载流子导电，晶体管被称为双极器件是因为它同时使用多数载流子和少数载流子导电。

有些场效应晶体管的源极和漏极可以互换使用，栅极电压可以是正的，也可以是负的，灵活性比三极管好。

场效应晶体管可以在小电流、低电压下工作，其制造工艺可以很容易地在一个硅片上集成多个场效应晶体管，因此场效应晶体管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

你不是说FET是单级晶体管吗？为什么有人说双极FET？

场效应是指栅极电压产生的电场通过绝缘层(氧化层或耗尽层)作用于半导体表面来控制输出电流，所以MOSFET和JFET都是场效应晶体管。它们都是单级晶体管，因为沟道导电载流子是一种多数载流子。

对于双极场效应晶体管，如IGBT，称为绝缘栅双极晶体管，这是一种栅极电压通过场效应控制沟道电导率的器件。但它的沟道中有两种导电载流子，即电子和空空穴(一种载流子注入源极，另一种载流子注入漏极)-双极器件，所以这种器件是场效应和双极导电性相结合的晶体管。

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