场效应管作用（场效应管作用时工作在什么区）

今天我要介绍场效应晶体管的作用以及场效应晶体管工作的相应知识点。希望对你有帮助，也别忘了收藏这个站点。

FET的主要用途是什么？

场效应晶体管(FET)是一种利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它用于大规模和超大规模集成电路。

总之，FET的工作原理是“流过沟道的漏源ID，栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置栅压控制ID”。更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。

在VGS=0的非饱和区，过渡层的膨胀不是很大。根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流ID从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层作为阻挡型形成沟道的一部分，ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了部分通道，但电流没有被切断。

扩展数据:

功能

1.FET可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。

2.2的高输入阻抗。FET非常适合阻抗变换。常用于多级放大器输入级的阻抗变换。

3.FET可以用作可变电阻。

4.FET可以方便地用作恒流源。

5.场效应晶体管可以用作电子开关。

场效应晶体管是做什么的？

主要有两个功能。

1用作开关。与晶体管相比，场效应晶体管被认为是压控电流器件，因此输入阻抗大，对应速度快，适用于输入信号电流小的电路。

用作放大器

什么是场效应晶体管？原理和作用是什么？

场效应晶体管:

场效应晶体管(场效应)

晶体管(FET)是场效应管的简称。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属型。

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。

多数载流子传导也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。它具有高输入电阻(107 ~ 1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管(FET)是一种半导体器件，通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流，因而得名。

因为它只依靠半导体中的多数载流子导电，所以又叫单极晶体管。

场效应晶体管的工作原理:

总之，在漏极和源极之间流动的沟道的ID用于控制栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅极电压。更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。

在VGS=0的非饱和区，过渡层的膨胀不是很大。根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流ID从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层作为阻挡型形成沟道的一部分，ID饱和。

这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了部分通道，但电流没有被切断。

在过渡层中，由于没有电子和空空空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，电流通常难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极下部，漂移电场拉动的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以ID出现饱和。

其次，VGS向负方向变化，使VGS=VGS(off)，此时，过渡层几乎覆盖整个区域。而且VDS的电场大部分作用在过渡层上，把电子拉向漂移方向的电场只是靠近源的很短一部分，使得电流无法流动。

功能:

1.FET可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。

2.2的高输入阻抗。FET非常适合阻抗变换。常用于多级放大器输入级的阻抗变换。

3.FET可以用作可变电阻。

4.FET可以方便地用作恒流源。

5.场效应晶体管可以用作电子开关。

扩展数据:

普通场效应晶体管:

MOS场效应晶体管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，英文缩写为MOSFET。

(金属氧化物半导体)

场效应发射极)，属于绝缘栅型。它的主要特点是在金属栅和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(高达1015ω)。

也分为N沟道管和P沟道管。通常，衬底(基板)和源极S连接在一起。根据导通模式的不同，MOSFET可以分为增强型和耗尽型。所谓增强，就是当VGS=0时，晶体管截止，加上正确的VGS后，大部分载流子被吸引到栅极，从而“增强”了这个区域的载流子，形成导电沟道。

耗尽型是指当VGS=0时，沟道形成，加上正确的VGS，大部分载流子可以流出沟道，从而“耗尽”载流子，关灯。

以N沟道为例，它在一个P型硅衬底上制作两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，然后分别引出源极S和漏极D。源极和衬底内部连通，始终保持等电位。

当漏极连接到电源的正极，源极连接到电源的负极，且VGS=0时，沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS的逐渐增大，在两个扩散区之间感应出带负电荷的少数载流子，形成从漏极到源极的N沟道。当VGS大于晶体管的导通电压VTN(一般约+2V)时，N沟道晶体管开始导通，形成漏极电流ID。

FET-百度百科

场效应晶体管的作用是什么以及如何测量极性，判断好坏，放大倍数等。

场效应晶体管的功能

1.FET可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗非常高，所以耦合电容可以更小，并且不需要电解电容。

2.2的高输入阻抗。FET非常适合阻抗变换。常用于多级放大器输入级的阻抗变换。

3.FET可以用作可变电阻。

4.FET可以方便地用作恒流源。

5.场效应晶体管可以用作电子开关。

场效应晶体管的测试

1.结型场效应晶体管的引脚识别:

场效应晶体管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应晶体管的发射极和集电极。将万用表放在R×1k档，用两个探针测量每两个引脚之间的正负电阻。当两个管脚之间的正负电阻相等，都是几kω时，这两个管脚就是漏极D和源极S(可互换)，剩下的管脚就是栅极g，对于四个管脚来说，

2、确定网格

用万用表的黑色表笔接触灯管的一个电极，用红色表笔接触另外两个电极。如果测两次电阻都很小，说明该管属于N沟道场效应管，黑色触针也接在栅极上。

制造工艺决定了场效应晶体管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，不影响电路的正常工作，不需要区分。源极和漏极之间的电阻大约是几千欧姆。

注意，这种方法不能用来确定绝缘栅场效应晶体管的栅极。因为这种晶体管的输入电阻极高，而栅极和源极之间的极间电容很小，所以测量时只要有少量电荷就能在极间电容上形成很高的电压，容易损坏晶体管。

3.评估场效应管的放大能力。将万用表设置为R×100，红色表笔接源极S，黑色表笔接漏极D，相当于给FET加一个1.5V的电源电压。此时，指针指示D-S极间电阻值。然后用手指捏住网格g，将人体的感应电压作为输入信号加入网格。由于管的放大作用，UDS和ID会发生变化，这也相当于。如果指针不动，说明管道已经损坏。

由于人体感应的50Hz交流电压比较高，用电阻测量时不同场效应晶体管的工作点可能不同，用手捏网格时手可能会向右或向左摆动。少数管子的RDS减小，使手向右摆动，而大多数管子的RDS增大，手向左摆动。不管手的摆动方向是什么，只要能明显摆动，就说明管子有放大的能力。这种方法也适用于测量MOS管。为了保护MOS场效应管，需要用手握住带绝缘柄的螺丝，用金属棒接触栅极，防止人为感应电荷直接作用于栅极而损坏管。

MOS管每次测量后，G-S结电容会被充上少量电荷建立电压UGS，然后测量时指针可能不动。此时，G-S电极可以短路。

FET的功能介绍到此结束。感谢您花时间阅读本网站的内容。别忘了在这里找到更多关于FET工作领域和功能的信息。

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