场效应管测量（场效应管测量方法）

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场效应管的测量方法

你可以用数字万用表或示波器来测量FET。
2首先取出电路中的FET，然后用测试笔逐个测量FET管脚上的电压，得到相应的电压值。
3另外，通过调整电路参数，如正负偏置电压，可以观察FET在不同条件下的工作情况，进一步了解其性能特点。

场效应管的测量方法

指针式万用表电阻测量可以用来测量FET。

场效应管的测量方法

我们主板上常用的MOS晶体管的G D S3的管脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道。把芯片放在右边，从左到右分别是G极、D极、S极。

要测量带有二极管模块的MOS管，应短接三个引脚以对MOS管放电。然后将红色唱针连接到S极，黑色唱针连接到D极。如果测量值超过500，则表示该管为n通道。

黑色的钢笔不动了..用红笔触摸G极测得的值为1。

红笔搬回了南极。此时，管道应该是导电的。

然后红笔测D极，黑笔测S极。该值应为1。(注意这一步。因为之前测量时给出了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是有导通性的，不过大概10秒后就会恢复正常。建议再次短路三个引脚，在此步骤中首先对灯管放电。).

主板维护:如何测量场效应晶体管，如何找到它的G、S、D电平，如何判断它是N沟道还是P沟道。

最简单的就是看它的数据表，就是IRFS4229。经过调查，它是一个N沟道MOSFET。一方面可以参考数据表查找GS D，另外可以先用a脚和c脚作为漏极(d)。因为里面有一个二极管，DS之间的阻抗大概是10ω，所以你可以找到S，剩下的就是g，如果击穿了，GS就会短路。如果GS阻抗为K，说明没有被击穿。

k2611场效应晶体管的测量方法

将万用表转到二极管位置。FET的字侧面向自身，从左到右:G(栅极)、D(漏极)和S(源极)。

首先将黑色的触针连接到G极，然后红色的触针分别接触D极和S极，然后切换触针，再次测量。如果两次测量结果都是开路，则初步判断FET良好。

最后，将黑色唱针连接到D极，红色唱针连接到S极。此时也应该处于开启状态；然后换笔再测。此时万用表的读数应该在0.6左右。经过这两个判断，FET不错。如果测量结果与上述不一致，则FET有缺陷。要么是坏了，要么是性能不好。

场效应晶体管的测量公式

场效应晶体管的测量公式；

将万用表放在RXlk位置，用黑色手写笔触碰假设为网格的G引脚，然后用红色手写笔触碰另外两个引脚。如果电阻值相对较小(约5\'-10欧姆)，再次交换红色和黑色探针进行测量。如果电阻大，属于N沟道管，黑表触点的管脚是G栅，说明原来的假设是正确的。也可以识别p沟道结FET。

如何测试cs20j65 FET的质量？

一般用指针式万用表测量这种管子的质量比较方便。成对重复测量三个引脚之间的电阻。手动一次且只动一次的管子一般都不错。手不动一两下就断了。

将数字万用表转到二极管位置，用两个探针随意接触FET的三个管脚。好的场效应晶体管在测量时应该只读取一次，数值大约在300-800之间。

如果最终测量结果中只有一个读数，并且是0，万用表必须短路FET引脚。

k4145场效应晶体管的质量测量

1.将万用表切换到欧姆表的“x10k”位置，短接G和S，黑色探针接D极，红色探针接S极。显示的电阻值应该是∞。

2.档位不变，G极和D极都短，笔和表的连接方式不变，显示的电阻值应该很小，接近于零。

如果是这样，管道表面看起来很好。

p沟道FET需要反接红黑探针，其他步骤相同。

因为FET的栅源导通电压通常高于2V(少数型号除外)，所以x1、x10、x100这三个档位是不行的，因为内部电池是1.5V，而X100k电池通常至少是9V。

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